收藏本站
TYPICAL APPLICATIONS
CURRENT SOURCE MIRROR
CURRENT SOURCE WITH GATE CONTROL
V+ = +5V
ALD1102,
1/2 ALD1107,
or ALD1117
ALD1102,
1/2 ALD1107,
or ALD1117
V+ = +5V
V+ = +5V
I SET
R SET
Q 3
Q 4
Q 3
Q 4
I SOURCE
I SET
R SET
I SOURCE
Digital Logic Control
of Current Source
Q 1
ALD1101,
1/2 ALD1106,
Q 2
I SOURCE = I SET
= V+ -Vt
R SET
~
= 4
ON
OFF
Q 1
1/2 ALD1101,
1/4 ALD1106,
or 1/2 ALD1116
or ALD1116
Q 1 , Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
DIFFERENTIAL AMPLIFIER
ALD1102,
V+
1/2 ALD1107,
or ALD1117
R SET
Q 1 : N - Channel MOSFET
Q 3, Q 4 : P - Channel MOSFET
CURRENT SOURCE MULTIPLICATION
V+ = +5V
Q 3
PMOS PAIR
Q 4
I SET
R SET
I SOURCE = I SET x N
V IN +
Q 1
Q 2
NMOS PAIR
V OUT
V IN -
Q SET
Q 1
Q 2
Q 3
Q N
ALD1101,
1/2 ALD1106,
or ALD1116
Current
Source
Q 1 , Q 2 : N - Channel MOSFET
Q 3 , Q 4 : P - Channel MOSFET
Q SET, Q 1 ..Q N : ALD1101, ALD1106, or ALD1116
N - Channel MOSFET
ALD1106/ALD1116
Advanced Linear Devices
4 of 11
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ALD111933SAL MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
ALD114804APCL MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP
ALD114835PCL MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP
ALD114913SAL MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
ALNICO500 19X3.2X3.2MM MAGNET 19MM X 3.2 X 3.2
ALS-PD70-01C/TR7 IC IR AMBIENT LIGHT SENSOR
ALS-PDIC15-21C/L230/TR8 IC IR AMBIENT LIGHT SENSOR
ALS-PDIC17-55C/TR8 IC IR AMBIENT LIGHT SENSOR
相关代理商/技术参数
ALD1117 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET
ALD1117DA 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY
ALD1117PA 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ALD1117PAL 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ALD1117SA 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ALD1117SAL 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ALD111910MAL 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ALD111910PAL 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube